Полупроводниковые лазеры являются диоды, которые электрически нагнетено. Рекомбинации электронов и дырок, созданные прикладной ток вводит оптического усиления. Отражение от концов кристалл образуют оптического резонатора, хотя резонатора могут быть внешними по отношению к полупроводника в некоторых конструкций.
Коммерческие лазерные диоды выделяют на длинах волн от 375 Нм до 3500 нм. Низкой до средней мощности лазерные диоды используются лазерные указатели, лазерные принтеры и CD/DVD-плееры. Лазерные диоды также часто используются для оптически насос другие лазеры с высокой эффективностью. Высокая мощность промышленных лазерных диодов, мощностью до 20 кВт, используются в промышленности для резки и сварки. Внешние полость полупроводниковые лазеры имеют полупроводниковых активной среды в большие полости. Эти устройства могут создавать высокой мощности выходы с качество хорошей пучка, волны перестраиваемый узкой линией излучения или ультракоротких лазерных импульсов.
В 2012 году, разработаны и выпускаются коммерческой мощный зеленый Лазерные диоды Nichia и OSRAM (515/520 Нм), которые конкурируют с традиционными диодов накачки твердотельных лазеров.
Поверхности излучающие лазеры вертикальной полости (VCSELs) являются полупроводниковые лазеры, чьи выбросов направление визирования перпендикулярно поверхности пластины. VCSEL устройства обычно имеют более круговой выходного пучка чем обычные лазерные диоды. По состоянию на 2005 год, только 850 нм VCSELs широко доступны, с 1300 нм VCSELs начинают быть коммерциализированный, [39] и 1550 нм устройств в области научных исследований. VECSELs являются внешние полости VCSELs. Квантовой Каскад лазеры являются полупроводниковые лазеры, которые имеют активный переход между суб полос энергии электрона в виде структуры, содержащей несколько квантовых ямах.
Развитие кремния лазер имеет важное значение в области оптических вычислений. Кремний является материал выбора для интегральных схем и поэтому электронные и фотонные компоненты кремния (таких как оптические соединения) могут быть изготовлены на одном чипе. К сожалению кремний является сложный материал генерации заниматься, так как он имеет определенные свойства которого блок генерации. Однако недавно команд дали кремния лазеры через методы, такие как фабрикуют генерации материал из кремния и других полупроводниковых материалов, таких как фосфид или арсенид галлия indium(III), материалы, которые позволяют когерентного света в производится из кремния. Это так называемые гибридные кремния лазера. Недавние события также показали использование лазеров монолитно комплексной нанопроволоки непосредственно на кремния оптических соединений, проложив дорогу для приложений уровня чип. Эти лазеры нанопроволоки гетероструктуры, способных оптических соединений кремния способны также испускающей пар к морю фазы пикосекундных импульсов с частотой повторения до 200 ГГц, что позволяет для обработки оптических сигналов на чипе. Другим типом является Раман лазер, который использует преимущества комбинационного рассеяния производить лазера от материалов, таких как кремний.
Генерация без сохранения среднего возбужденных в заворота населенности была продемонстрирована в 1992 году в Газе натрия и снова в 1995 году в Газе рубидия различных международных команд. Это было достигнуто с помощью внешних Мазера навести «оптической прозрачности» в среде путем внедрения и разрушительно вмешательства переходы электронов земли между двумя путями, так что вероятность для электронов земли поглощать энергию были отменены.
